据行业人士透露，英伟达已与三星就3纳米GAA工艺制程进行接洽，预计将在2025年实现量产。此前有报道称，下一代英伟达旗舰显卡RTX 5090将采用3纳米工艺，预计明年年底推出。RTX 40系列显卡代号为Ada Lovelace，而下一代RTX显卡的代号为Blackwell。新一代RTX显卡的晶体管数量将超过150亿，密度接近3亿/mm?，核心时钟将超过3GHz，总线密度将达到512bits。 根据早前外媒泄露的消息，基于GB102的RTX 5090包含144组SM单元，即18432个CUDA（假设每组SM还是128个CUDA），比RTX 4090多出12.5%，96MB二级缓存，匹配GDDR7显存（384bit位宽），支持PCIe 5.0 x16。 此外，微星在台北Computex电脑展上也展示了下一代英伟达RTX旗舰显卡的散热设计。微星使用了动态双金属鳍片（Dynamic Bimetallic Fin）、六条贯穿式纯铜热管和大面积铝质鳍片，进一步增强散热，而显存区域也有对应的铜片。这表明下一代显卡将针对散热进行着重设计。结合当前所曝光的信息，RTX 5090的原始功耗和发热应该会给人留下深刻的印象。
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