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    复旦大学团队绕过EUV工艺，研发全新CFET技术性能优异

      [  中关村在线 原创  ]   作者：柏景福
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    diy.zol.com.cn true https://diy.zol.com.cn/808/8088062.html report 1780 我们知道，提高半导体性能就要增加晶体管的数量，如果单位面积的晶片要容纳更多的晶体管，就需要通过缩小单元晶体管的尺寸来实现，例如7nm节点以下业界使用极紫外光刻技术实现高精度尺寸微缩。由于极紫外光刻设备复杂且对我国形成了高度的技术垄断与封锁，在现有技术节点...
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