近日，NEO Semiconductor宣布推出两项全新的3D X-DRAM单元架构设计——1T1C和3T0C，这有望对当前DRAM内存的发展带来重大影响。
这两种设计方案分别采用了单晶体管单电容和三晶体管零电容的结构，预计将在2026年完成概念验证测试芯片的生产，并实现比现有DRAM模块高出10倍的容量。
借助NEO的3D X-DRAM技术，新型内存单元可在单一模块中实现512Gb（即64GB）的存储容量，远超目前市场上任何同类产品的水平。在模拟测试中，这些新单元的读写速度达到每秒10纳秒，数据保持时间超过9分钟，这两项性能指标均处于DRAM领域的先进水平。
新技术采用了氧化铟镓锌（IGZO）材料，1T1C和3T0C单元结构可像3D NAND一样进行堆叠式构建，从而在提升容量和数据吞吐量的同时，维持较低的功耗表现。
NEO Semiconductor首席执行官Andy Hsu表示：“通过推出1T1C和3T0C 3D X-DRAM，我们正在拓展内存技术的边界。这一创新突破了当前DRAM扩展能力的限制，也使我们在新一代存储领域占据了领先地位。”
据悉，NEO计划在本月举行的IEEE国际存储器研讨会上，进一步介绍1T1C、3T0C以及其3D X-DRAM与3D NAND系列产品更多细节。
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