近日，芝奇宣布推出基于JEDEC最新DDR5 R-DIMM修订标准的增强型DDR5 R-DIMM内存。这款新产品在设计上采用了16层PCB布局，并引入瞬态电压抑制（TVS）二极管和保险丝等保护措施，在信号完整性、过电流防护以及静电放电保护方面实现了显著提升，为高性能计算和数据中心提供了更加可靠的内存解决方案。
与传统DDR5 R-DIMM内存的8层或10层PCB设计相比，芝奇此次推出的增强型DDR5 R-DIMM内存采用16层PCB设计，堪称一次重要的技术升级。通过高密度多层结构，该产品能够有效优化信号传输路径，降低信号干扰，从而确保即使在高性能运算或超频环境中，数据传输依然保持高度的可靠性和稳定性，满足复杂应用场景的需求。
为了进一步提高内存模块的安全性和可靠性，芝奇在这款增强型内存中新增了瞬态电压抑制（TVS）二极管和保险丝两项关键保护元件。其中，TVS二极管能够有效抑制瞬态电压波动，防止静电放电对内存模组造成损害；而保险丝则可在发生过电流时迅速切断电路，避免内存因过载而受损。
此外，芝奇增强型DDR5 R-DIMM内存直接从主板接收12V输入电压，并结合上述保护机制，能够更好地应对峰值功率冲击，维持系统电压的稳定性，从而显著提升整体运行的稳定性和可靠性，支持长时间无故障工作。
据了解，芝奇正在积极准备这款增强型DDR5 R-DIMM内存的量产工作，预计将在2025年年中通过其全球分销网络正式上市销售。
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