芯研所4月12日消息，日前，Intel在位于美国俄勒冈的D1X工厂举办隆重的Mod3扩建仪式，并将此地命名为戈登摩尔公园（Gordon Moore Park）。实际上，这是Intel为D1X工厂打的第三个MOD“补丁”，也是第二次扩建，投资高达30亿美元。
芯研所采编
D1X-Mod3的主要工作实际上从去年8月份就开始了，其重大意义在于，为工厂增加了2.5万平米的洁净室空间，将D1X扩大了20%，这便为最终足以搬进ASML的下一代最先进高数值孔径（High NA）EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200 EUV创造必要条件。和服务Intel 3/4工艺的NXE 3000系列EUV光刻机相比，EXE 5200大了很多，突破了D1X原“天花板”。回到18A工艺制程，提速后，最快可以在2024年三季度登场。外界倾向于认为，18A对应18埃米，也就是1.8nm，对标的是台积电2nm。修订后的Intel最新工艺路线图如下：
可以看到，今年开始到2024年，Intel的制程迭代将会非常紧凑，下半年会有第一代大规模使用EUV的Intel 4（原7nm），明年下半年则是最后一代FinFET晶体管的Intel 3（原7nm+）。2024年会全面进入基于环绕栅极晶体管技术的RibbonFET晶体管时代，同时还有Intel独创的PowerVia背面电路，首发是Intel 20A（原5nm），名义2nm。
本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：Intel扩建厂房安装ASML下代最先进EUV光刻机http://diy.zol.com.cn/790/7903451.html
