
NVIDIA近期推动了一项新型内存模块的研发计划,并委托三星电子、SK海力士以及美光三家公司共同参与开发。据相关消息显示,美光意外成为首个完成量产准备的厂商。
这种名为SoCEM的内存模块是NVIDIA提出的新技术概念,其结构由16颗LPDDR5X芯片堆叠而成,每4颗为一组。与传统HBM内存通过硅通孔实现垂直连接的方式不同,SoCEM采用的是打线接合技术,以铜线将16颗芯片串联在一起。由于铜具备良好的热传导性能,能够有效降低每颗DRAM芯片在运行时产生的热量。此前,美光曾表示,其最新一代低功耗DRAM产品在能耗效率方面较同类产品高出约20%。
业内分析认为,美光在EUV光刻设备的应用上起步较晚,反而使其在此次竞争中更快实现了供货准备。不同于其他厂商主要依赖EUV技术提升DRAM性能的做法,美光选择了另一条路径,在不大幅提升制造复杂度的前提下,通过结构与工艺的创新,在提升内存性能的同时实现了更低的发热水平。
据悉,SoCEM模块计划应用于NVIDIA预计于明年推出的下一代GPU架构“Rubin”。此外,业界对这一技术未来的发展潜力给予高度关注,认为其不仅适用于高性能计算领域,还可能延伸至正在研发的个人超级计算设备“Digits”。
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