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    HBM4内存工艺升级，三星成本上升

      [  中关村在线 原创  ]   作者：林有三

    HBM4内存工艺升级，三星成本上升

    据外媒报道，当地时间 6 月 9 日有消息称，由于 HBM4 内存的 I/O 数量相比上一代产品翻倍至 2048，继续采用 1b 工艺制造 HBM4 DRAM 的 SK 海力士和美光，不得不增加 DRAM 芯片的面积，从而导致每片晶圆所能生产的 HBM DRAM 芯片数量减少。

    而对于三星电子来说，由于其 HBM4 内存的 DRAM 芯片将采用比前代产品更先进的 1c nm 制程工艺，虽然芯片复杂度上升，但预计单片晶圆的芯片产出量仍将有所增长。不过，受制程升级带来的技术难度影响，三星 HBM4 内存的实际制造成本也将相应上升。

    行业消息指出，HBM4 内存初期规格为 12Hi 36GB，预计上市初期市场价格将超过 600 美元，相较于相同容量的 HBM3E 存在明显的价格优势。

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    diy.zol.com.cn true https://diy.zol.com.cn/994/9949761.html report 573 据外媒报道，当地时间 6 月 9 日有消息称，由于 HBM4 内存的 I/O 数量相比上一代产品翻倍至 2048，继续采用 1b 工艺制造 HBM4 DRAM 的 SK 海力士和美光，不得不增加 DRAM 芯片的面积，从而导致每片晶圆所能生产的 HBM DRAM 芯片数量减少。而对于三星电子来说，由于其 HB...
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