在HBM4技术竞赛中，三星正加大力度追赶领先者SK海力士。据媒体报道，三星计划在韩国华城和平泽地区扩大第六代10nm级（1c）DRAM的生产规模，并将在今年内启动相关投资。
与SK海力士和美光选择以1b DRAM作为HBM4基础技术不同，三星决定主攻更为先进的1c DRAM工艺，这显示出其在提升1c DRAM良率方面具备较强信心。另有消息称，三星正在评估将华城17号产线从当前的1z DRAM转换为1c DRAM生产的可行性，并希望在年底前完成转型，以此增强产能布局。
此前，三星已在平泽第四园区建成首条1c DRAM产线，设计月产能为3万片晶圆。随着后续扩产推进，该产线的月产能有望提升至4万片。
另外，据此前报道，三星用于12层HBM4的4nm逻辑芯片已在试产阶段达到超过40%的良率水平，成为关键技术进展之一。
市场分析机构预测，在需求持续增长带动下，到2026年，HBM整体出货量将超过300亿吉比特。预计从2026年下半年起，HBM4将逐步取代HBM3e，成为高带宽内存市场的主流方案。
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