根据报告中的内容，研究团队通过热成像技术和详细的测试发现，在显卡的PCB板上，尤其是电压调节模块（VRMs）附近存在显著的高温热点。分析认为，为了实现更紧凑的PCB设计，供电子系统中的元件（例如场效应晶体管、电感线圈等）被放置得过于紧密，从而牺牲了散热空间，进一步加剧了热密度的集中。
测试数据揭示了令人担忧的现象。在对比测试中，PNY RTX 5070和Palit RTX 5080 Gaming Pro OC两款显卡的VRM区域温度表现差异明显。其中，RTX 5080的VRM区域温度达到80.5°C，而RTX 5070在同一区域的温度却飙升至107.3°C，远超长期安全运行的温度范围。这可能与RTX 5070较短的PCB设计有关，供电元件的高度集中进一步加重了散热压力。
报告强调，这一问题并非个别现象，而是可能影响所有基于当前设计的RTX 50系列显卡。研究团队推测，问题的根源可能在于英伟达提供给合作伙伴（AIB厂商）的散热设计方案存在不足，未能充分考虑到实际使用中的散热需求、PCB功率损耗以及元件在高温环境下的异常行为。
如果这些问题得不到解决，显卡中的供电元件（如电容和MOSFETs）在持续高温下可能会加速老化，进而引发电压不稳定、系统崩溃、焊点劣化等问题，甚至缩短显卡的整体寿命，导致提前失效。这种情况让人联想到此前RTX 4090电源接口熔毁的事件，而此次问题的核心可能与PCB设计本身存在更为深层次的关联。
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