
紫光闪存UNIS FLASH MEMORY L1 NVMe M.2固态硬盘,采用PCIe Gen34通道设计,读取速度高达3250MB/s,写入速度达2250MB/s,性能表现出色。选用原厂3D TLC晶圆,自主封装技术,具备高达150万小时的平均无故障时间,品质可靠。512GB容量版本拥有240TBW的写入寿命,支持HMB智能缓存和SLC Cache灵活切换,搭配智能算法实现多级负载调节与精准控温,同时单面颗粒设计让其兼容性更强。
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