3月11日消息，美光公司于今年2月向英特尔、AMD等客户交付了其1γ（gamma）DDR5内存样品，成为全球首家实现这一技术突破的内存厂商。据韩媒3月10日报道，美光在此次交付的样品中仅在部分制造流程中使用了极紫外光刻（EUV）设备，公司计划通过减少EUV技术的应用，加速尖端DRAM产品的量产进程。
报道指出，美光选择降低对EUV技术的依赖，转而更多采用成熟的氩氟浸没式光刻（ArFi）工艺。根据ASML提供的数据，下一代深紫外光刻（DUV）系统通过193纳米波长的氩氟激光能够实现38纳米特征尺寸的打印，而EUV光刻技术则利用13.5纳米波长的光源，具备更高的精度，但同时成本也更高。
美光方面表示，由于EUV技术尚未完全成熟，公司决定仅在必要时使用该技术。这种策略短期内有望提升量产效率，但从长期来看，可能对芯片的良率和性能产生一定影响。相比之下，三星和SK海力士在DRAM技术研发中更倾向于依赖EUV技术。例如，三星自2020年起便在内存生产中引入EUV，并计划在其第六代10纳米级DRAM（1c）产品中应用超过5层EUV技术；SK海力士也在2021年引入EUV设备，并计划在下一代1c DRAM中采用类似的多层EUV方案。
尽管美光减少对EUV技术的依赖能够在短期内降低生产成本，但从长远来看，这种做法可能会面临技术瓶颈。业内人士分析，相较于EUV，ArFi工艺需要更多的制造步骤，可能导致良率下降。随着EUV层数的增加，尤其是超过3层后，技术难度将显著提升。
此外，美光此前宣布其1γ DRAM内存产品相比上一代产品性能提升了15%，功耗降低了20%以上，进一步巩固了其在内存领域的领先地位。
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