光刻机可以说是芯片工业中最核心的设备。近日，光刻机巨头ASML首次在其荷兰总部向媒体公开展示了最新一代的High NA EUV光刻机，大小等同于一台双层巴士，重量高达150吨，组装起来比卡车还大，需要被分装在250个单独的板条箱中进行运输，装机时间预计需要250名工程人员、历时6个月才能安装完成。
根据爆料显示，High NA EUV光刻机售价高达3.5亿欧元一台，约合人民币27亿元，它将成为全球三大晶圆制造厂实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。
2023年12月，Intel已率先拿下了全球首台High NA EUV光刻机，而台积电和三星订购High NA EUV预计最快2026年到货。ASML官方社交媒体账号发布了Intel的交付照片，光刻机的一部分被放在一个保护箱中。箱身绑着一圈红丝带，正准备从其位于荷兰埃因霍温的总部发货。
由于High NA EUV光刻机价格是当前EUV光刻机的两倍，这也意味着设备成本将大幅增加。而明年即将量产的2nm依然可以依赖于现有的EUV光刻机来完成，并且成本并不会大幅增加，这也是台积电、三星不急于导入High NA EUV光刻机的关键。
公开资料显示，NA数值孔径是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率，以及最高能达到的工艺节点。通常来说，金属间距缩小到30nm以下之后，也就是对应的工艺节点超越5nm，低数值孔径光刻机的分辨率就不够了，只能使用EUV双重曝光或曝光成形(pattern shaping)技术来辅助，这样不但会大大增加成本，还会降低良品率。因此，更高数值孔径成为必需了。
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