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    国产芯片弯道超车：曝长江存储欲直接量产232层闪存

      [  中关村在线 原创  ]   作者：人宝宝

    国产芯片领域中，存储芯片的表现和追赶速度是最快的领域。此前有消息称国产存储芯片大厂已经完成了192层的3D NAND闪存样品的自主研发，并在今年年底前会实现量产交付。

    而目前有消息称，长江存储计划跳过192层，直接切入232层闪存生产。

    这意味着，如果长江存储实现量产232层闪存芯片，我国在存储芯片领域的技术将达到国际先进水平。

    而目前三星和SK海力士明年初会量产超200层闪存，长江存储越过192层，直接生产232层，将到达一线水平。

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    diy.zol.com.cn true http://diy.zol.com.cn/794/7945419.html report 485 国产芯片领域中，存储芯片的表现和追赶速度是最快的领域。此前有消息称国产存储芯片大厂已经完成了192层的3D NAND闪存样品的自主研发，并在今年年底前会实现量产交付。而目前有消息称，长江存储计划跳过192层，直接切入232层闪存生产。这意味着，如果长江存储实现量产23...
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