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    台积电1nm取得重要进展 突破材料物理极限

      [  中关村在线 原创  ]   作者:淼淼小鬼

    日前,台大、台积电和麻省理工共同发布研究成果,首度提出利用半金属Bi作为二维材料的接触电极。它可以大幅降降低电阻并提高电流,使其效能媲美硅材料,有助于半导体行业应对未来1纳米世代的挑战。论文中写道,目前硅基半导体已经推进到5nm和3nm,单位面积容纳的晶体管数量逼近硅材料物理极限,效能无法逐年显著提升。此前,二维材料被业内寄予厚望,却始终掣肘于高电阻、低电流等问题。

    台积电1nm取得重要进展 突破材料物理极限

    此次三方合作中,麻省理工是半金属铋电极发现者,台积电将铋(Bi)沉积制程进行优化,台大团队运用氦离子束微影系统将元件通道成功缩小至纳米尺寸,耗时长达一年半的时间。

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    diy.zol.com.cn true https://diy.zol.com.cn/768/7688136.html report 519 日前,台大、台积电和麻省理工共同发布研究成果,首度提出利用半金属Bi作为二维材料的接触电极。它可以大幅降降低电阻并提高电流,使其效能媲美硅材料,有助于半导体行业应对未来1纳米世代的挑战。论文中写道,目前硅基半导体已经推进到5nm和3nm,单位面积容纳的晶体管数...
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