
近日,三星电子宣布已开始量产512GB封装容量的eUFS 3.1闪存,相较上一代eUFS 3.0(512GB)闪存产品,新款的写速提升了200%,达到了惊人的1200MB/s。
比用于PC的传统SATA3 SSD(540MB/s)和UHS-I microSD存储卡(90MB/s),可谓巨大的升级,可消除8K、5G时代下的存储瓶颈。
其它性能参数还包括,连续读取速度可达2100MB/s,随机读取速度就100K IOPS,随机写入速度70K IOPS。此前,铠侠(原东芝存储)也介绍了UFS 3.1闪存产品,但都是出样,没有达到量产程度。
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