尽管华为遭受美国政府全面封锁的事件已经过去很久，人们的关注度也逐渐开始变淡，但事件正在潜移默化的持续发酵。国外机构发出严重警告，禁售华为将导致10亿GB的内存颗粒滞销，一场不断扩大演变的蝴蝶效应正在将美国的存储行业带入凛冬。
市场情报公司TrendForce预计，禁售华为导致第三季度DRAM价格下降高达15％。
华为事件的影响正在持续发酵
据该公司统计，按照一季度的销量预估，华为手机在2019年总销量预计可以达到2.5亿部，按照平均每部手机4GB容量计算，总共需求10亿GB内存。
如果华为无法顺利获得这部分内存，将会造成内存厂商严重的库存积压，原本已经供大于求DRAM市场进一步失衡。而刺激市场需求，降价则是最直接的方法。
5月16日，美国商务部正式将华为列入“实体清单”，禁止美企向华为出售相关技术和产品。随后以美光为首的美国存储器厂商也正式发表声明，暂停向华为供应内存以及闪存颗粒。
美光对华为施行断供
同时，美光也已经发函要求各大模组厂配合，不准将使用美光内存做成的模组、内存卡或固态硬盘等相关存储产品，直接或间接供货给华为及其关系企业。
在此背景下，国产内存成为人们关注的焦点。而合肥长鑫作为国内内存颗粒的龙头企业，目前宣告即将在年内实现DDR4内存颗粒的量产。
目前安徽省印发《2019年省级调度重大项目计划的通知》，《通知》提到合肥长鑫12英寸存储晶圆制造基地项目一期研发阶段所有单体已完成，目前研发线晶圆片电性测试良好，成品芯片功能通过；正在进行良率提升以及量产准备工作。
位于安徽合肥的长鑫存储的年目标是，部分生产线投入使用。根据计划，长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nm的研发。
合肥长鑫生产规划
按照合肥长鑫公司高管此前公布的发展规划来看，2018年底量产8Gb DDR4工程样品；2019年3季度量产8Gb LPDDR4；2019年底实现产能2万片/月；2020年开始规划二厂建设；2021年完成17纳米技术研发。
而提到长鑫存储，相信我们的很多网友都会感到陌生。合肥长鑫项目专注于DRAM的研发、生产与销售，而最初技术来源是奇梦达。
在5月中旬举行的GSA+Memory存储峰会上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲，其中就提到了长鑫DRAM内存的技术来源——已破产的奇梦达公司。
源自奇梦达的技术
通过与奇梦达合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中，这也是公司最初的技术来源之一。长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上，利用专用研发线，展开世界速度的快速迭代研发，已持续投入晶圆超过15000片。
朱一明表示长鑫的内存研发是站在巨人肩膀上，尽管如此国内研发DRAM内存依然花费了极大的代价，累计研发费用高达25亿美元，建成严谨合规的研发体系和独有技术体系。
目前合肥长鑫已累积有1万6千个专利申请，加速中国存储芯片国产化目标实现的进程。
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