65纳米制造工艺细节

65纳米制造工艺细节

　　65纳米（1纳米等于十亿分之一米）制程融合了高性能、低功耗晶体管、第二代英特尔应变硅、高速铜互连以及低-K电介质材料。采用65纳米制程生产芯片将使英特尔能够将当前单个芯片上的晶体管数量再翻一番。65nm晶体管不仅在尺寸上比90nm产品更小，而且还会降低能耗并减少电流泄漏。

　　采用新型低-K电介质材料的铜互连 (Copper Interconnects with new low-k dielectric)：新制程集成了八个铜互连层，使用低-K电介质材料来提高芯片中的信号速度和减少芯片功耗。

　　65nm工艺将把泄漏降低四倍，同时与90nm晶体管相比性能却不会降低。其秘密在于英特尔的“应变硅”技术。当然，它在90nm工艺中也使用了应变硅，但在65nm节点中使用的却是第二代产品，它能够在使晶体管性能提高10%-15%的同时却不会增加泄漏。 65nm工艺还采用了Low K介电质，这种材料能够进一步限制泄漏。该工艺采用的是8层排列的铜线互连。