12月5日，三星在首尔举办的2025年度韩国科技节上展示了其最新研发的GDDR7显存产品，传输速率高达40Gbps，单颗容量为3GB（24Gb）。该产品采用三星12nm DRAM工艺制造，技术层级相当于10nm级别，并在活动中获得“总统级表彰”。
此次展示的显存并非唯一进展，三星目前已具备量产能力，不仅限于40Gbps型号，更早前已有消息指出其已开始批量生产传输速率为28Gbps的3GB GDDR7显存模组。据推测，此类模组可能被用于英伟达即将推出的RTX 50系列显卡的Super中期升级版本。
尽管未采用当前最高速度的显存方案看似保守，但这一选择符合主流显卡厂商的常规策略。为确保产品稳定供应，企业通常优先选用已实现大规模量产且库存充足的成熟技术，而非尚处样品阶段的新型组件。
与此同时，三星的主要竞争对手SK海力士也在积极布局下一代显存技术。该公司计划在2026年举行的国际固态电路会议上公布其高速DRAM产品线，其中包括一款容量为24Gb、传输速率达28Gbps的GDDR7显存。特别之处在于，该产品或将采用对称双通道架构设计，有望突破业界对GDDR7普遍预期的32至37Gbps速率区间，带来新的性能可能性。
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