三星电子目前已完成 HBM4 12Hi（36GB）内存样品的准备工作，即将进入出货阶段。若内部测试结果理想，公司计划于 7 月初向英伟达、AMD 等主要客户发送该产品样品。
此前，SK 海力士与美光已于 2025 年 3 月和 6 月相继完成 HBM4 12Hi 的样品交付，因此三星此次将成为三大厂商中最后一家提供 HBM4 样品的企业。此外，三星还计划在 8 月进一步推出堆叠层数更高的 HBM4 16Hi 样品，预计容量可达 48GB。
为提升产品竞争力，三星首次在 HBM4 产品中采用了基于第六代 10 纳米级工艺（1c nm）制造的 DRAM 芯片，希望借此扭转其在 HBM3（E）世代所面临的市场被动局面。据悉，三星对该款 1c nm DRAM 芯片进行了大幅设计优化，以提升整体性能表现。
若客户测试顺利，三星有望于今年底实现 HBM4 内存的大规模量产。尽管目前已具备提供样品的能力，但公司在 DRAM 芯片及 HBM 堆栈制造的良率方面仍有较大的改进空间。
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