01三星HBM4样品将出货
产品:R9 FURY X 4GB HBM 华硕 显卡三星电子目前已完成 HBM4 12Hi(36GB)内存样品的准备工作,即将进入出货阶段。若内部测试结果理想,公司计划于 7 月初向英伟达、AMD 等主要客户发送该产品样品。
此前,SK 海力士与美光已于 2025 年 3 月和 6 月相继完成 HBM4 12Hi 的样品交付,因此三星此次将成为三大厂商中最后一家提供 HBM4 样品的企业。此外,三星还计划在 8 月进一步推出堆叠层数更高的 HBM4 16Hi 样品,预计容量可达 48GB。
为提升产品竞争力,三星首次在 HBM4 产品中采用了基于第六代 10 纳米级工艺(1c nm)制造的 DRAM 芯片,希望借此扭转其在 HBM3(E)世代所面临的市场被动局面。据悉,三星对该款 1c nm DRAM 芯片进行了大幅设计优化,以提升整体性能表现。
若客户测试顺利,三星有望于今年底实现 HBM4 内存的大规模量产。尽管目前已具备提供样品的能力,但公司在 DRAM 芯片及 HBM 堆栈制造的良率方面仍有较大的改进空间。