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    台积电A14制程不采用High-NA EUV

      [  中关村在线 原创  ]   作者：十三号胡同

    台积电A14制程不采用High-NA EUV

    台积电业务开发资深副总裁张晓强近日表示，公司在A14制程的开发中将不采用High-NA EUV光刻技术。据悉，A14仍将基于现有的EUV光刻设备进行制造。台积电方面指出，在当前技术条件下，A14制程无需引入High-NA EUV即可达成预期的性能、晶体管密度及良品率目标。

    根据介绍，A14是台积电未来重点推进的一代工艺节点，定位为1.4nm级别的半导体制造技术，相较于目前量产中的3nm工艺以及即将投入量产的2nm工艺，在技术上实现进一步升级。

    按照台积电公布的数据，与2nm N2工艺相比，A14可在相同功耗下带来最高15%的性能提升，或在保持相同性能的情况下，将功耗降低最多达30%，同时逻辑电路区域密度也将提升超过20%。

    据规划，A14制程预计将在2028年开始进入量产阶段。此外，台积电还为这一技术平台预留了多种延伸方案，包括A14P、A14X和A14C等衍生版本，以满足不同芯片产品的需求。

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    diy.zol.com.cn true https://diy.zol.com.cn/979/9790164.html report 713 台积电业务开发资深副总裁张晓强近日表示，公司在A14制程的开发中将不采用High-NA EUV光刻技术。据悉，A14仍将基于现有的EUV光刻设备进行制造。台积电方面指出，在当前技术条件下，A14制程无需引入High-NA EUV即可达成预期的性能、晶体管密度及良品率目标。根据介绍，A1...
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