美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer表示232层闪存是存储芯片创新的分水岭，因为这首次证明了3D闪存有扩展到200层以上的能力。
7月29日最新消息，美光全球首发了232层TCL闪存！有人称，这是全球首个超过200层的闪存，也是业界密度最高，接口速度提升最快的闪存，它的写入速度100%。
此外，美光232层闪存有几个“首发”！它是全球首个六平台TLC闪存，在TLC中平面最多，每一个平面都可以独立读取，提供的数据能力一流！
美光232层闪存还是首款支持NV-LPDDR4，后者是一种低压接口，相比之前的IO接口，每比特的能效提升30%以上，性能表现十分不错。
在指标方面，美光232层TLC闪存引入了业内最快的IO速度，可达2.4GB/s，比上代的176层闪存高出一倍，同时写入带宽提升100%，读取带宽提升75%。速度贼快，办公贼舒适！
据悉，它还是市面上最小面积的高密度闪存，这样可以减少对电路板空间的占用，小小身体，大大能量。
现今，这款闪存已经在新加坡量产，最初同美光自身的英睿达品牌，推出消费级的SSD。
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