SK海力士宣布开发HBM3 DRAM

    SK海力士近日宣布，他们已成为业内首家成功开发HBM3 DRAM 内存芯片的公司。HBM3 是第四代HBM 技术，前三代是 HBM、HBM2 和 HBM2E，HBM3是对 HBM2 规范的更新，增加了带宽和容量。

    SK海力士去年 7 月开始批量生产 HBM2E，也是业内第一家开始批量生产HBM2E的公司。而SK海力士最新的 HBM3 芯片，单片最大容量可达 24GB，最高带宽达到了 819 GB/s，相比 HBM2E 提升了 78%。

     SK海力士的HBM3 将提供24GB和 16GB两种容量类型。HBM3 预计将主要应用于高性能数据中心以及AI深度学习领域，以提高人工智能水平和超级计算性能。

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