
我们使用的固态硬盘采用NAND Flash作为存储介质,当其存储密度不断提升的同时,成本也会变得越来越敏感,因为Flash闪存的成本取决于其芯片面积,所以如果可以在同一区域存储更多数据,Flash将更具成本效益。
所以随着技术的发展也就有了Single Level Cell(SLC),Multi Level Cell(MLC)和Triple Level Cell(TLC),还有一种尚未大规模普及的QLC。
有些小伙伴可能不理解他们之间的关系,SLC闪存中,每个存储单元仅存储一位信息,这使得读取单元格更快捷,但其单元成本较高;MLC闪存每个存储器单元存储两位信息,读取速度和寿命都低于SLC,但价格也便宜2到4倍;TLC Flash每个存储器单元存储3位信息,优势在于成本与SLC或MLC闪存相比要低得多,较适合于消费类应用,而到QLC Flash则是每个存储器单元能够存储4位信息以存储更多的信息,寿命也会相应低于TLC。
在QLC之后,实际上5bit MLC闪存也一直在研究中,被简称PLC,它要控制32组不同的电压,更加复杂了,但在刚刚开幕的2019 FMS国际闪存会议上,已经开始探讨PLC闪存的可能了,已经提上日程,虽然没有具体实物出现,但相信随着QLC的开始大范围普及,PLC的研发速度将进一步加快。
本文属于原创文章,如若转载,请注明来源:QLC靠不住?PLC研发已被东芝提上日程//diy.zol.com.cn/723/7238359.html