存储芯片涨价已经不是新闻，除了DRAM内存之外，NAND闪存涨价也势必会带动SSD涨价，而且这一轮涨价以QLC闪存为主。
原因并不复杂，因为推动涨价的根源是AI市场的需求，AI大模型动辄上万亿参数量，不仅对内存/显存要求高，也给硬盘极大的存储压力，QLC是目前容量、成本均衡的硬盘之选，没有之一。
从供应链的消息来看，这一轮涨价中，120TB及以上的超大容量SSD需求激增，厂商们正在评估2026年的订单规模，并且策略性地调整QLC闪存的产能占比。
上游原厂实际上早些时候就已经行动了，8月份SK海力士宣布全球首发量产321层堆栈的闪存，首发产品就是QLC而非以前的TLC类型，他们就是在为AI市场做准备了。
除了SK海力士之外，三星、美光、东芝、闪迪等大厂也会提高QLC闪存占比，尤其是三星，以前V8闪存中都没有QLC闪存类型，但是V9这一代也要变成QLC为主了。
不过三星的问题在于V9 QLC闪存据说有问题，量产延期到了明年初，这波又被SK海力士抢先半年，搞不好接下来几个季度中闪存一哥的位置也要被SK海力士抢走。
LS Securities预测SK海力士及其合资企业Solidigm有望在QLC市场份额上过半，明年拿下51%的份额，比今年的45%再次大幅提升。
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1. 性能差异（尤其是写入速度）
TLC：读写性能比较均衡。虽然不如更顶级的SLC/MLC，但对于绝大多数日常使用和游戏来说已经非常快了。厂商会通过SLC缓存技术来大幅提升其爆发写入速度。这个缓存区通常比较大，能应对大部分日常文件拷贝和操作。
QLC：最大的短板在于写入性能。它同样依赖SLC缓存，但它的SLC缓存容量通常较小。当你持续写入大文件（比如几十GB的游戏或视频文件）时，一旦缓存被填满，写入速度就会断崖式下跌，可能从每秒几百MB降至几十MB，体验上会感觉“卡住”了。
2. 寿命差异（耐用性/P/E Cycles）NAND闪存有一个物理特性：每个存储单元都有擦写次数的上限。
TLC：大约可以承受1000-3000次的全盘擦写。
QLC：大约只能承受几百次的全盘擦写。
注意：对于普通用户来说，即使是QLC的寿命也完全足够。一个1TB的QLC SSD，假设寿命是500次P/E，那么它的总写入量就是 1TB * 500 = 500TB。普通用户每年写入量可能也就10-20TB，这意味着这块硬盘可以轻松使用20年以上。所以，对于绝大多数消费者，无需过度担忧QLC的寿命问题。
3. 成本与容量
QLC的优势在于，在相同面积的芯片上，它能存储更多的数据，所以单位容量的成本更低。这使得大容量SSD（如4TB、8TB）的价格变得更容易接受。QLC是推动SSD普及到大容量市场的关键。
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