三星在半导体存储领域的优势一直是无可替代，今日，根据最新消息显示，三星西安（中国）12英寸闪存芯片二期第二阶段项目正式开工，将投资80亿美元用于新建工厂，预计于2021年下半年竣工，将用于投产其先进的100+层3D NAND。
中国是全球重要的存储应用市场，根据数据统计，中国市场每年至少要消耗三成以上的NAND Flash，需求量极大。根据中国信通院数据，2019年11月中国5G手机出货量突破500万部大关，5G手机新品所搭载的容量也不断增大，NAND Flash几乎从128GB起跳，再加上数据中心、服务器等需求的拉动，也将会对NAND Flash的需求起到极大的提升作用。
受此因素影响，目前市场供需关系已经开始改变。所以为了平衡这种关系，三星目前正积极提高96层3D NAND生产比重，并且推出了第六代V-NAND，它可以实现128层的TLC NAND堆栈，基于此，目前已经成功量产了SATA SSD，根据我们目前的能耗设计，它具备了性能更高、容量更大、能耗更低的特性。预计到明年将会实现更大容量的堆栈闪存产品落地，并且不断朝着更多层的堆栈进行研究，以此来满足消费者不断增长的存储需求。
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