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    吊打Intel已成笑谈 AMD Ryzen深入剖析

      [  中关村在线 原创  ]   作者:  |  责编:张伟
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      3月2日22:00锐龙AMD Ryzen处理器正式解禁并开始全球发售,至今已一星期有余。这一周,AMD这三个字母成为了科技媒体网站的最核心热点,的确,AMD在资金和技术实力完全落后Intel数年后还能推出追平Intel旗舰处理器的产品,着实不易。但事实上,消费者对AMD的研发过程并不感冒,他们只关心价格、性能、质量。所以今天这篇文章,我们不谈评测,也不看数据,单纯从中立的角度来解读锐龙AMD Ryzen处理器的,让我们一起来看看锐龙AMD Ryzen处理器的另一面。

    AMD FinFET 14nm≠Intel 14nm

      稍微了解硬件的朋友都会知道处理器分XXnm工艺,一般情况工艺越先进(纳米数越低),功耗会降低。锐龙AMD Ryzen处理器采用的是FinFET 14nm工艺,和Intel相同,但是玩家并不买帐,因为FinFET 14nm已经是Intel玩剩下的东西。要理解这个还是有些麻烦,笔者尽量以最简单的模型为大家进行讲解。

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    晶体管模型

      上图就是一个简单的晶体管模型,图中标注的Gate中文意为“闸门”,它的作用就是控制两侧“Source”和“Drain”的通断,学过计算机的朋友都知道,这个通断分别对应着计算机中二进制的“1”和“0”。一款处理器中大概有数十几亿这样的晶体管,他们组合在组合的通断变化组成了我们所使用CPU(当然,CPU真实的结构远比图中更复杂)。Gate的宽度,就是我们常说的XXnm,这个宽度越窄,电流通过时候的损耗就越低,所以发热量就越低,功耗也会更低。

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    FinFET技术

      FinFET技术是什么意思呢?我们以上图为例,Gate虽然越短,电流损耗越小,但是缺点也很明显,就是它与下方的面积也会变窄,这样就会导致Gate的通断性变弱,“Source”和“Drain”之间会开始漏电,影响芯片的稳定性。FinFET技术的发明人——加州大学伯克利分校的胡正明教授提出了一种新结构,就是把Gate制做成右图中的形状,增大接触面积,这样Gate对电流通断能力的控制就会重新增强,进一步减少Gate的宽度。

      虽然AMD和Intel处理器均为FinFET技术,但是却大有不同。AMD的FinFET技术来自三星,(AMD的14nm订单都给了GF公司,而GF的14nm源于三星授权)由于三星直接从28nm制程一口气转进14nmFinFET制程,技术积累不足,直接导致14nm工艺不成熟(iPhone 6s Plus所采用台积电16nm处理器无论功耗还是性能均优于同机型的三星14nm处理器)。

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    Intel声称CPU工艺领先对手3年

      而Intel方面,得益于新一代Tri-gate技术,Intel的14nm可以提供更高密度的芯片,所以性能上更占优势。Intel表示,就逻辑单元这一核心指标来看,它们2014年研发出来的第一代14nm FinFET(即Broadwell所用)就已经和去年三星/台积电的10nm看齐,毫不掩饰对自家14nm优秀的自豪。

      但是客观的讲,Intel的市值高达1683亿美金,而AMD市值仅为122亿美金,二者每年研发费用完全不在一个数量级上,并且AMD落后Intel这么多年,这样的工艺差距还是可以理解的。

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