据最新消息显示，高通第二代骁龙X Elite已进入开发的最后阶段，相关信息逐渐浮出水面。按照计划，这款芯片预计将在今年10月的骁龙技术峰会上正式发布，但搭载该芯片的终端产品可能要等到明年才能与消费者见面。
据悉，第二代骁龙X Elite的主频有望达到约4.4GHz（可能是加速频率），其性能较上一代预计将提升18%至22%。当前一代的骁龙X Elite采用台积电N4P 4nm工艺制造，基础频率在3.0GHz到3.8GHz之间，加速频率则在4.0GHz到4.3GHz之间。从表面上看，新一代产品的频率提升幅度似乎并不显著，但由于缺乏关于基础频率和多核加速的具体数据，再加上全新架构设计的优化，性能的大幅提升依然是可以预期的。
根据此前披露的信息，第二代骁龙X Elite的内部代号为SC8480XP，最终命名可能是“骁龙X2 Ultra Premium”。这款芯片将升级至第三代自研Oryon V3架构，最多支持18个核心，并直接集成48GB内存和1TB SSD存储。不过，随之而来的功耗和发热量预计也会有所增加。
目前，第二代骁龙X Elite的具体制造工艺尚未明确，但业界普遍推测其将升级至3nm级别。值得注意的是，这款芯片的内部测试早在2024年9月便已启动，这一时间点几乎与第一代骁龙X Elite发布的时间重合。
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