据行业人士透露，英伟达已与三星就3纳米GAA工艺制程进行了接洽，预计在2025年实现量产。这进一步证实了之前报道的下一代英伟达旗舰显卡RTX 5090将采用3纳米工艺，并有望在明年年底推出。 据了解，英伟达RTX 40系显卡代号为Ada Lovelace，而下一代RTX显卡的代号为Blackwell。Blackwell的晶体管数量将超过150亿，密度接近3亿/mm?，核心时钟将超过3 GHz，总线密度将达到512 bits。 根据早前外媒泄露的消息，基于GB102的RTX 5090将包含144组SM单元，即18432个CUDA（假设每组SM仍为128个CUDA），比RTX 4090多出12.5%。此外，RTX 5090还将配备96MB二级缓存，匹配GDDR7显存（384bit位宽），并支持PCIe 5.0 x16。 微星在台北Computex电脑展上展示了下一代英伟达RTX旗舰显卡的散热设计。根据展示图，微星采用了动态双金属鳍片（Dynamic Bimetallic Fin），六条贯穿式纯铜热管以及大面积铝质鳍片中嵌入的铜片，进一步增强了散热效果。同时，显存区域也有对应的铜片，这表明下一代显卡将着重设计散热系统。 下一代英伟达旗舰显卡RTX 5090的技术规格令人期待，尤其是其超高的晶体管数量和密度，以及强大的散热设计。
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