238 层 NAND 闪存芯片，SK 海力士宣布明年上半年量产

日前消息，韩国 厂商SK 海力士（SK Hynix）已经开发出 238 层 NAND 闪存芯片，它可以用于 PC 存储设备、智能手机和服务器。上周美光也开始出货 232 层 NAND 闪存芯片。

根据SK 海力士官方的表示，其最新的 238 层芯片是目前世界上最小的 NAND 闪存芯片，与此同时数据传输速度相比上代产品提升 50%，而读取数据消耗的能量却可以降低 21%。同时，SK 海力士准备于 2023 年上半年开始大规模生产新芯片。

而在市场份额上，英特尔 NAND 业务被 SK 海力士收购后更名为 Solidigm，它与 SK 海力士合计占有全球 NAND 闪存市场的 18%，仅次于三星的 35.3% 和 Kioxia 的 18.9%。

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