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    512G仅0.8mm 三星将推第八代NAND闪存

      [  中关村在线 原创  ]   作者：赵悟省

    在三星技术论坛上，三星公布了第八代V-NAND的细节。第八代V-NAND堆栈可达200多层，容量可达1Tbit， 512GB容量的厚度仅为0.8mm，可用于手机。

    512G仅0.8mm 三星将推第八代NAND闪存

    三星的V-NAND闪存现已发展到第七代V-NAND V7，176层堆栈，TLC版核心容量512Gbit，而即将推出的V-NAND V8将有超过 200 层。

    虽然三星没有提到具体的层数，但之前的报道指出是228层，增加了约30%，存储密度增加了约40%。 V-NAND V8闪存的单核容量也由之前的512Gbit翻倍至1Tbit，性能也更强。

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    diy.zol.com.cn true https://diy.zol.com.cn/781/7813567.html report 399 在三星技术论坛上，三星公布了第八代V-NAND的细节。第八代V-NAND堆栈可达200多层，容量可达1Tbit， 512GB容量的厚度仅为0.8mm，可用于手机。三星的V-NAND闪存现已发展到第七代V-NAND V7，176层堆栈，TLC版核心容量512Gbit，而即将推出的V-NAND V8将有超过 200 层。虽然三...
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