
芯研所消息,外媒ComputerBase近日分享了三星电子在“2021 三星技术日”当天公开的未来发展蓝图和存储技术革新的内容。
据ComputerBase消息称,三星目前正在准备DDR5技术的后继产品DDR6,该技术的速度和带宽是DDR5的两倍。DDR6内存每个模块将拥有4个通道,是DDR5的两倍;bank数量将达到64个,是DDR4的4倍。
显存方面,三星现在正在开发GDDR6+标准,提供高达24 Gbps的速度,高于当前GDDR6标准提供的18 Gbps,使用三星的1znm工艺制造。此外,GDDR7标准也在路线图中,但没有更多细节。
据了解,DDR6标准还没有被JEDEC正式确定,默认的规格应该在DDR6-12800左右。三星证实,该技术尚处于早期开发阶段,因此公司共享的数据可能会发生变化。外媒称,DDR6超频内存有望达到DDR6-17000。
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