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    台积电称3nm工艺超前：2022年正式量产

      [  中关村在线 编译  ]   作者：刘芳佐

    在ISSCC 2021国际固态电路会议上，台积电联席CEO刘德音公布了公司最新的工艺进展，指出3nm工艺超出预期，进度将会提前。

    然而，刘德音没有宣布3nm工艺是如何超前的。根据他们公布的信息，3nm工艺今年下半年试产，2022年正式量产。

    与三星在3nm节点激进选择GAA环绕栅极晶体管工艺不同，台积电的第一代3nm工艺是保守的，仍然使用FinFET晶体管。

    与5nm工艺相比，台积电3nm工艺的晶体管密度提升70%，速度提升11%，或者功耗降低27%。

    台积电称3nm工艺超前：2022年正式量产

    无论是5nm还是3nm工艺，甚至是未来的2nm工艺，台积电都表明EUV光刻机越来越重要，但产能对EUV光刻机来说仍然是难题，能耗也很高。

    刘德音提到台积电EUV光源技术获得突破，功率可达350W，不仅能支持5nm工艺，甚至未来可以用于1nm工艺。

    根据台积电提出的路线图，他们认为半导体技术将继续遵守摩尔定律，新一代技术将在两年内升级，而重大技术升级将在十年内发生。

    免责声明：凡标注转载/编译字样内容并非本站原创，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

    diy.zol.com.cn true https://diy.zol.com.cn/762/7627490.html report 841 在ISSCC 2021国际固态电路会议上，台积电联席CEO刘德音公布了公司最新的工艺进展，指出3nm工艺超出预期，进度将会提前。然而，刘德音没有宣布3nm工艺是如何超前的。根据他们公布的信息，3nm工艺今年下半年试产，2022年正式量产。与三星在3nm节点激进选择GAA环绕栅极晶体...
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