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    台积电称3nm工艺超前:2022年正式量产

      [  中关村在线 编译  ]   作者:刘芳佐

    在ISSCC 2021国际固态电路会议上,台积电联席CEO刘德音公布了公司最新的工艺进展,指出3nm工艺超出预期,进度将会提前。

    然而,刘德音没有宣布3nm工艺是如何超前的。根据他们公布的信息,3nm工艺今年下半年试产,2022年正式量产。

    与三星在3nm节点激进选择GAA环绕栅极晶体管工艺不同,台积电的第一代3nm工艺是保守的,仍然使用FinFET晶体管。

    与5nm工艺相比,台积电3nm工艺的晶体管密度提升70%,速度提升11%,或者功耗降低27%。

    台积电称3nm工艺超前:2022年正式量产

    无论是5nm还是3nm工艺,甚至是未来的2nm工艺,台积电都表明EUV光刻机越来越重要,但产能对EUV光刻机来说仍然是难题,能耗也很高。

    刘德音提到台积电EUV光源技术获得突破,功率可达350W,不仅能支持5nm工艺,甚至未来可以用于1nm工艺。

    根据台积电提出的路线图,他们认为半导体技术将继续遵守摩尔定律,新一代技术将在两年内升级,而重大技术升级将在十年内发生。

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