近日根据内部人士透露，国产半导体领军企业长鑫存储为了应对目前的国际局势已经重新设计DRAM芯片，以尽量减少对美国原产技术的使用。
据爆料，长鑫存储其生产中会使用到美国的半导体设备但重新设计能够降低威胁，避免触及美国的知识产权，所以才投入巨资开始重新设计DRAM芯片。
长鑫存储董事长兼CEO朱一明去年10月曾前往欧洲，与欧洲最大的半导体设备供应商ASML商谈合作，并访问了比利时的IMEC，这是一家专注于纳米电子和数字技术的开创性研究机构。由此可见，长鑫正在寻求美国以外的供应商的支持。
根据长鑫存储的规划，将在2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能达到2万片/月，从2020年开始，开始规划二厂，2021年完成17nm研发。
虽然长鑫存储目前的产能仍然较小，但对于目前完全无法自制DRAM的中国大陆来说，却是一大突破，DRAM技术持续投入研发超过25亿美元，并不断完善自身研发技术，目前已累积有1万6千个专利申请。
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