DDR3内存时序大幅提升 绝对延迟却减少

●　DDR3内存时序大幅提升 绝对延迟却减少

　　Z博士：你的说法也不一定正确，因为尽管JEDEC规定DDR2内存的最高频率为800MHz，但实际上已经有不少实力雄厚的模组厂商推出了DDR2-1200甚至DDR2-1333的内存，在这种情况下，DDR3内存的竞争力就不高了，因为在频率得到提升的同时，DDR3内存的延迟也增加了。

　　土老冒：延迟是什么？提升延迟会影响性能吗？

　　Z博士：内存延迟是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。就如同你去餐厅吃饭，你点完菜，服务员下单，厨房按照你点的菜进行安排，在你点菜到上菜的这段等待的时间，就可以看作是内存的延迟。

　　土老冒：原来这就是延迟啊，如此说来延迟越高，等待的时间就越长。那么内存延迟到底是如何体现的呢？DDR3内存相对DDR2提升了多少延迟？

DDR3内存时序进一步提高

　　Z博士：一般来说，体现内存延迟的就是我们通常说的时序，如DDR2-800内存的标准时序：5-5-5-18，但DDR3-800内存的标准时序则达到了6-6-6-15、DDR3-1066为7-7-7-20、而DDR3-1333更是达到了9-9-9-25！

　　土老冒：俺想知道博士所说的5-5-5-18、6-6-6-15等数字每一个都代表什么。

　　Z博士：这4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，这也是内存最重要的参数之一，一般来说内存厂商都会将CL值印在产品标签上。

　　第二个数字是RAS－to－CAS Delay（tRCD），代表内存行地址传输到列地址的延迟时间。第三个则是Row－precharge Delay（tRP），代表内存行地址选通脉冲预充电时间。第四个数字则是Row－active Delay（tRAS），代表内存行地址选通延迟。

　　除了这四个以外，在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel芯片组上，如NVIDIA nForce 680i SLI芯片组上，还支持内存的CMD 1T/2T Timing调节，CMD调节对内存的性能影响也很大，其重要性可以和CL相比。

　　其实这些参数，你记得太清楚也没有太大用处，你就只需要了解，这几个参数越低，从你点菜到上菜的时间就越快。

　　土老冒：好吧好吧，俺自己也听得一头雾水，只需要记得它越低越好就行了。那么俺想问，为什么DDR3内存延迟提高了那么多，Intel和众多的内存模组厂商还要大力推广呢？

　　Z博士：其实DDR3内存的延迟也不仅仅是这么简单。DDR3内存的频率和带宽相比DDR2有了成倍的提升，为了保证高频率下数据传递的精确性，DDR3内存的总体延迟相比DDR2有所提高。这种情况在DDR2替代DDR时也发生过。

　　之前三星的半导体记忆体产品专家曾指出，片面地认为CL数值大就认为DDR3延迟表现不及DDR2，是完全错误无知的观念。这位专家指出，事实上，JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5，其记忆体延迟均为15ns。

计算整个内存的延迟需要将颗粒的运行频率计算在内

　　三星专表示，要计算整个内存的延迟值，还需要把内存颗粒运行频率计算在内。如果DDR3-1066、DDR3-1333及DDR3-1600的CL值分别为7-7-7、8-8-8及9-9-9，把内存颗粒运行频率计算在内，其延迟值应为13.125ns（7*1000/533.33）、12.0ns及11.25ns，相比DDR2改善约25%，因此把CAS数值当成内存的延迟值是不正确的。

　　由此看来，CL和延迟值是两个完全不同的概念，CL是指时钟周期，如CL=5，表示CL值为5个周期，而真正意义上的延迟值，是指延迟的绝对时间，单位是ns，频率越高，自然一个周期所用的绝对时间也越短。很多人以为DDR3内存的延迟大大的增加了，但实际上DDR3内存的绝对延迟值相比DDR2却降低了。

　　土老冒：原来是这么个情况，如此说来DDR3的CL值增加了，但真正意义上的延迟却降低了。

　　Z博士：而且你也不必担心，尽管JEDEC将DDR3内存的时序设定得很保守，但实力雄厚的内存模组厂商肯定会推出低延迟的DDR3内存，就如同在DDR2时代，尽管DDR2-800内存的JEDEC规定时序为5-5-5-18，但却有DDR2-800 3-3-3时序的内存诞生，尽管它们的价格不菲。