对于基于NAND存储技术的设备而言，无论是U盘还是SSD，甚至是SD卡，都会涉及到一个问题成本，于是产品设计从SLC转变到MLC，再到TLC，甚至QLC也将在后续问世，那么SLC、MLC、TLC究竟对用户有什么影响呢？

    SLC--SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存

    SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。

    MLC--MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存

    英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
 Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每 个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。

    TLC--TLC英文全称（Trinary-Level Cell）即三层式储存

    TLC即3bit per cell，每个单元可以存放比MLC多1/2的数据，共八个充电值，所需访问时间更长，因此传输速度更慢。TLC优势价格便宜，每百万字节生产成本是最低的，但是寿命短，只有约1000次擦写寿命。

    正如上面的介绍，从SLC到MLC再到TLC，cell对于电压的精确控制更高，这直接导致TLC的寿命下降到只有1000次PE，而对应的SLC和MLC分别为10000+和3000，相对来说TLC的耐久度显著下降。TLC的另外一个劣势就是数据的读写效率，在SLC时代，1个cell一次只需要读取/写入1个bit，到MLC时代每次需要读取/写入2bit，而到TLC时代则上升到3bit，很显然其性能受到电压控制的程序复杂度会变慢，当然由于工艺和主控的不断升级，目前TLC已经可以追平MLC产品。不过TLC耐久的硬伤短时间内并无法得到有效解决，当然TLC的耐久可以通过存储设备的容量加大而均衡磨损，变相演唱了产品的使用寿命。