三星在存储领域的工艺制程一直走在业界前列,DDR3时代三星率先推出了20nm DDR3颗粒,成就一代超频经典,如今三星又宣布量产全新制程的DDR4内存颗粒,正式进军10nm级别,单颗最大容量和此前颗粒基本保持一致8Gb,双面16颗容量可以达到单条16GB。
按照早先的预测,今年随着PC需求量下降的影响,内存价格将出现大幅下滑,下半年至少会降20-30%,最多可达40%。三星18nm加入战局,必然会刺激价格进一步走低,在今年下半年内存或将迎来白菜价时代。
据悉三星10nm级DDR4内存颗粒单颗容量为8Gb,频率为3200MHz,这也意味着未来DDR4 3200MHz内存将会批量出货,而超频内存将会逐步向4000MHz逼近。除了频率的提升,得益于新的制程,新的内存颗粒可以实现同频率下更低的功耗,下降约10-20%。
三星官方表示:新工艺克服了DRAM行业中的大量技术挑战,包括独有的单元设计技术、四重曝光技术(QPT)、超薄介质层沉积技术等等,而且依然使用了已有的氟化氩沉浸式光刻工艺,并未启用昂贵且不成熟的EUV极紫外光刻。
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