9月22日，三星品牌存储正式推出了旗下首款基于PCIe4.0协议的旗舰级产品——三星980PRO PCIe4.0固态硬盘。笔者在第一时间从产品的外观工艺，内部核心架构，新技术升级应用等角度进行全面深入的评测和体验。
不得不说，此次三星980PRO基本实现了全面的技术升级和产品革新，在众多新技术新架构之中，三星自研的第六代V-NAND闪存颗粒的应用，毫无疑问，是最让笔者感到惊艳和动容的。
说起三星自研V-NAND颗粒，就不得不从固态硬盘产品的原理结构聊起。众所周知，固态硬盘的核心便是利用闪存颗粒替代了传统机械硬盘的机械磁盘，作为存储介质，然后通过通电和放电，将信息和数据读取和写入到闪存颗粒当中，最终实现数据的存储。
01 三星V-NAND技术的前世今生
从原理上，我们不难发现，闪存颗粒是决定固态硬盘绝对性能和存储容量的关键因素之一，因而众多存储厂商都在大力研发具有自主知识产权的闪存颗粒产品。近年来，为了进一步提升闪存颗粒在性能和容量上的齐头并进，以三星为主的存储大厂，突破性的提出了闪存颗粒内部3D堆叠技术，用以满足日益增长的性能和容量的双料需求。
所谓3D堆叠技术，也就是在原本是2D平面的闪存颗粒内部，通过技术手段在维持平面不变的状态下，从Z轴，也就是立体面上进行颗粒的堆叠，这样就能实现在保持闪存颗粒尺寸不变甚至更小的情况下，无限的通过垂直面颗粒堆叠，实现闪存颗粒内部容量的扩容和倍增。
正如同平房和楼房的差异一般，3D堆叠如同在单位面积上进行楼房的加盖，让原本面积固定的平房，在不扩大地域的情况下，提升可利用面积。理论上，只要在技术足够可靠，垂直方向的堆叠几乎可以做到无限制的扩容。
应用于三星870QVO上的V-NAND技术
3D堆叠技术，三星称之为V-NAND技术，是三星于2013年首次推出并应用在商用市场，基于三星V-NAND技术采用了区别于传统浮栅极技术（即FG Floating Gate）的电荷撷取闪存（charge trap flash，简称CTF）路线，因而一直领跑全行业，平均下来几乎领先同期厂商2年以上。
从2013年初代V-NAND首发，直到今年2020年，历经7年，第六代三星V-NAND颗粒也终于问世，从7年的研发路线也可以看出，三星品牌存储几乎是一年一脚印，不断在V-NAND技术上保证技术优势，提升闪存产品的绝对性能和存储容量。
02 第六代V-NAND颗粒的技术创新
那么，应用于三星980PRO上的全新第六代V-NAND技术又有哪些技术创新呢？
总结下来就是两点，一个是堆叠层数更多，存储数据的上限更高；另一个是性能更强，延迟更小，能够提供更高强劲的存储表现。
在堆叠层数方面，第六代V-NAND颗粒应用了前文提到的三星独创的CTF路线，也就是“通道孔蚀刻”技术，即在闪存内部建立100多个层组成的导电晶片堆栈，从上到下垂直穿孔，形成均匀的三维电荷阱闪存（CTF）单元，让第六代V-NAND颗粒内部拥有1XX层的堆叠，相较于应用在970EVO Plus上的第五代9X层，有了一个量级的提升，这也意味着在同等数量的die下，三星980PRO内置的闪存颗粒能够存储更多的数据。
第六代V-NAND闪存两大优势
在性能方面，三星通过在电路设计上进行速度优化，使得全新第六代V-NAND闪存拥有更快的数据传输性能，根据测算，相较于第五代闪存，其写入操作时间少于450微秒（μs），读取操作的时间少于45μs，性能提高了10%以上，而功耗却降低了15%以上。
在实现了容量倍增和性能提升后，三星第六代V-NAND的首秀便由此拉开了序幕。
03 三星980PRO卓尔不群的奥秘
有了三星第六代V-NAND闪存技术加持，基于PCIe4.0接口协议的三星980PRO也开始了新的巅峰之路。
在顺序读写方面，三星980PRO PCIe4.0固态硬盘，一举实现了最大顺序读取超过7000MB/S，最大顺序写入超过5000MB/S的成就，打破了此前人们对于PCIe4.0最大读取不超过5000MB/S的刻板印象。
强悍的绝对性能
在4K随机性能方面，官方宣称，三星980PRO是首个超过1000K iops的消费级固态硬盘产品，同样也是技惊四座。
当然了，强悍的绝对性能除了有着第六代V-NAND技术强力加持之外，三星980PRO内置的全新基于ARM架构的Elpis主控，同样也是极为重要的一环。
PCIe4.0协议带来的巨幅提升，需要固态硬盘的主控制器在数据调节，并行处理方面有着更高更强的性能优势，而全新的EIpis主控，采用三星8nm工艺制程，并支持最高128队列，能够并行处理超过800万个命令集，相较于上一代主控产品，性能提升了400%，有力的支撑了三星980PRO的强悍性能表现。
技术的诞生到完全普及落地，往往需要时间进行沉淀，鉴于市面上仍然还有大量PCIE3.0产品的留存，三星980PRO在研发之初，便考虑到了兼容性问题。
采用8nm制程工艺的Elpis主控芯片，能够完美兼容PCIE3.0，并且在性能上有着上佳的表现，甚至超过称霸PCIE3.0世代的970EVO Plus和970PRO。
根据官方提供的数据，在PCIE3.0带宽下，三星980PRO的最大连续读取性能达到3500MB/S，基本和970EVO Plus持平；在最大连续写入性能方面，达到了3450MB/S，甚至超过了三星970EVO Plus的官方测试水平。
04 三星第六代V-NAND未来之路
随着三星980PRO的上市，三星第六代V-NAND技术也正式开启了新一轮的商用之路。鉴于此项技术在存储容量和绝对性能上的大幅提升，以及用户对于绝对性能的孜孜不倦，笔者有理由相信，在较长的一段时间内，三星第六代V-NAND技术，将会和它的上一代技术一样，成为3D堆叠产业链上不容忽视的技术代表，并大量应用于三星品牌存储的明星产品之上。
至于技术更为先进的第七代V-NAND技术，笔者相信三星品牌存储必然已经在研发之中了。
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