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    英特尔希望在Xe显卡使用台积电6nm和3nm工艺

      [  中关村在线 原创  ]   作者：罗珺栩   |  责编：杨勇

    有传言称，英特尔将其下一代Xe显卡开发与台积电的节点开发周期保持一致，据报道英特尔正与台湾代工厂商谈为其大型Xe GPU分配6nm和3nm的问题。但是，据报道，英特尔在市场上推出的首款Xe显卡建立在该公司自己的10nm+工艺上。

    英特尔希望在Xe显卡使用台积电6nm和3nm工艺

    尽管英特尔对台积电3纳米的迷恋是可以理解的，但希望使用台积电的6纳米节点却令人大跌眼镜。台积电内部称为“ N6”的6纳米硅制造节点有望在2020年底或2021年初投入使用，届时英特尔的10纳米+节点有望从Tiger Lake处理器开始量产。也许在英特尔公司内部已经做出决定，以确保Xe显卡不会过多地使用用于处理器制造的代工厂产能，而是最终将Xe制造业外包给台积电和三星等第三方代工厂。早在2019年4月，就有传言称英特尔正在评估三星作为Xe的代工合作伙伴。


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