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    性能远超NAND,MRAM离应用还有多久?

      [  中关村在线 原创  ]   作者:霍杰华   |  责编:杨勇

        随着5G物联网时代的来临,存储器领域发展越来越快,而在这一领域,韩系厂商拥有着较为明显的优势。

        近日,据报道,三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器(eFlash)的嵌入式磁阻随机访问内存(eMRAM),容量为1Gb,测试芯片的良率已达90%。

    性能远超NAND,MRAM离应用还有多久?

        MRAM是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内存和硬盘的新型存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍,此外,其制作工艺要求低,良品率高,可以很好的控制成本。在寿命方面,由于MRAM特殊的存储方式,产品的寿命耐久性也远超传统RAM。

        报道称,三星也正在改善1Gb MRAM寿命问题,除了支持10年的存储年限之外,在105℃也可完成1亿次读写,在85℃下则可增加至100亿次读写,在正常工作环境中,则有望达到1兆次读写。目前,以MRAM为代表的新型存储已经发展到了关键阶段,能否成为取代NAND闪存的下一代存储介质除了材料和工艺的不断完善之外,构建完善的器件技术生态系统也是十分关键的。相信在市场需求的引导以及各大厂商的推动下,存储产品一定朝着性能更高,容量更大以及成本更优的方向发展。

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