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    三星量产第8代V-NAND闪存

      [  中关村在线 原创  ]   作者:淼淼小鬼

    芯研所11月7日消息,日前,三星宣布开始大规模生产236层3D NAND闪存芯片,并将其命名为第8代V-NAND,方案能带来2400MTps 的传输速度(对应的SSD传输速度轻松超过12GBps)。得益于存储容量更大。V-NAND V8闪存的厚度依然可以控制在合理水平,封装512GB容量也不超过0.8mm,可以用于新一代智能手机。

    三星量产第8代V-NAND闪存

    按照三星的表述,与现有相同容量的闪存芯片相比,新一代3D NAND可提高提高20%的单晶生产率,从而进一步降低了成本,这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘

    在未来,三星的V-NAND闪存堆栈层数还会进一步提升,路线图中的目标是超过500层,这被视为3D闪存的极限,不过三星还在想法突破,最终能制造1000层堆栈的3D闪存。

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