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    曝三星3nm GAA存漏电等缺陷：难敌台积电

      [  中关村在线 原创  ]   作者：淼淼小鬼
    纠错与问题建议标签：手机
    diy.zol.com.cn true https://diy.zol.com.cn/775/7755375.html report 1199 业内人士表示三星目前的3nm GAA工艺依然面临着漏电等关键技术问题，且在性能和成本方面可能也存在一些问题，或许将依然不敌台积电3nm FinFET工艺。芯研所8月31日消息，三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung在一场网络技术论坛中透露，三星能够抢在主要竞争...
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