芯研所消息，在近日的Hotchips 33大会上，三星展示了DDR5内存标准产品。提供了更高的频率和容量。
据悉，三星将DDR5模块设计为 8层 堆叠 TSV（直通硅通孔）芯片。在之前的DDR4中，三星使用了 4 层堆叠 TSV 裸片，实际上比最新的8层还更厚。为了实现新的薄设计，三星使用了薄晶圆处理技术，从而使堆叠芯片之间的缝隙减少了 40%。与旧款 4层模块的 1.2 毫米相比，新的 8H DDR5 模块仅厚 1.0 毫米。
在性能方面，三星制造的 RDIMM/LRDIMM 模块频率可以达到7200MB/s频率，容量可达512GB。当然，这仅限于服务器/企业市场的DDR5内存。普通消费者/PC 用户拥有高达 64 GB 容量的UDIMM。
根据三星的展示，7200MB/s频率速度是在1.1 V电压下下实现的，这意味着三星的实施非常高效。根据该公司的一些估计，主流市场的DDR内存预计在2023/2024年之前不会出现，这意味着内存制造商还有很多时间来完善他们的DDR5产品。
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