国产14nm工艺大跃进：明年量产

　　现如今，芯片自主的研发已经成为大家关注的焦点，甚至可以说已经上升到了国家的高度，而在这个领域寻求更大的突破和发展，是国内科研人员目前集体努力的方向。在

　　近日举行的“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”活动上，集成电路专项技术总师叶甜春对外表示，国产14nm工艺已经攻克难关，将在明年投入量产。

　　叶甜春强调，通过2万科技工作者9年的艰苦攻关，终于研制成功14nm刻蚀机、薄膜沉积等30多种高端装备和靶材、抛光液等上百种材料产品，性能达到国际先进水平，通过了大生产线的严格考核，开始批量应用并出口到海外，实现了从无到有的突破，填补了产业链空白。同时，制造工艺与封装集成由弱渐强，技术水平飞速跨越，国际竞争力大幅提升。

　　此外，叶甜春还给出了接下来国产芯片的发展规划，“十三五”将重点支持7-5nm工艺和三维存储器等国际先进技术的研发。

　　公开资料显示，在2008年以前，我国集成电路制造最先进的量产工艺为130纳米、研发工艺为90纳米，专项实施至今，主流工艺水平提升了5代，55、40、28纳米三代成套工艺研发成功并实现量产，22、14纳米先导技术研发取得突破，并形成自主知识产权。封装企业三维高密度集成技术研发也达到国际先进水平。

AMD Ryzen处理器DDR4内存改善

　　据外媒报道，AMD在接受《福布斯》采访时表示：新平台发布以来的这个最大短板终于基本消除了。

　　Ryzen发布之后，很多用户发现DDR4内存很难稳定上到3000MHz以上的高频率，尤其是使用多条内存的时候。

　　这主要和Ryzen的架构设计有关，因为内存频率是与处理器内部连接两个CCX模块的Infinity Fabric总线频率相关联的，同时对性能影响也很明显。

　　AMD确认，五月份的AGESA(AMD BIOS程序接口)更新重点提升了DDR4的兼容性，可以更稳定地运行在高频率上。

　　不过AMD也强调，这事也有赖于主板厂商改进主板设计，包括使用更多PCB电路层，以及在内存插槽、处理器插座之间使用更好的铜线电路。

　　AMD保证说，未来还会继续升级AGESA，继续在不同层面上改进Ryzen的性能。

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