3月2日22：00锐龙AMD Ryzen处理器正式解禁并开始全球发售，至今已一星期有余。这一周，AMD这三个字母成为了科技媒体网站的最核心热点，的确，AMD在资金和技术实力完全落后Intel数年后还能推出追平Intel旗舰处理器的产品，着实不易。但事实上，消费者对AMD的研发过程并不感冒，他们只关心价格、性能、质量。所以今天这篇文章，我们不谈评测，也不看数据，单纯从中立的角度来解读锐龙AMD Ryzen处理器的，让我们一起来看看锐龙AMD Ryzen处理器的另一面。
AMD FinFET 14nm≠Intel 14nm
稍微了解硬件的朋友都会知道处理器分XXnm工艺，一般情况工艺越先进(纳米数越低)，功耗会降低。锐龙AMD Ryzen处理器采用的是FinFET 14nm工艺，和Intel相同，但是玩家并不买帐，因为FinFET 14nm已经是Intel玩剩下的东西。要理解这个还是有些麻烦，笔者尽量以最简单的模型为大家进行讲解。
晶体管模型
上图就是一个简单的晶体管模型，图中标注的Gate中文意为“闸门”，它的作用就是控制两侧“Source”和“Drain”的通断，学过计算机的朋友都知道，这个通断分别对应着计算机中二进制的“1”和“0”。一款处理器中大概有数十几亿这样的晶体管，他们组合在组合的通断变化组成了我们所使用CPU（当然，CPU真实的结构远比图中更复杂）。Gate的宽度，就是我们常说的XXnm，这个宽度越窄，电流通过时候的损耗就越低，所以发热量就越低，功耗也会更低。
FinFET技术
FinFET技术是什么意思呢？我们以上图为例，Gate虽然越短，电流损耗越小，但是缺点也很明显，就是它与下方的面积也会变窄，这样就会导致Gate的通断性变弱，“Source”和“Drain”之间会开始漏电，影响芯片的稳定性。FinFET技术的发明人——加州大学伯克利分校的胡正明教授提出了一种新结构，就是把Gate制做成右图中的形状，增大接触面积，这样Gate对电流通断能力的控制就会重新增强，进一步减少Gate的宽度。
虽然AMD和Intel处理器均为FinFET技术，但是却大有不同。AMD的FinFET技术来自三星,（AMD的14nm订单都给了GF公司，而GF的14nm源于三星授权）由于三星直接从28nm制程一口气转进14nmFinFET制程，技术积累不足，直接导致14nm工艺不成熟（iPhone 6s Plus所采用台积电16nm处理器无论功耗还是性能均优于同机型的三星14nm处理器）。
Intel声称CPU工艺领先对手3年
而Intel方面，得益于新一代Tri-gate技术，Intel的14nm可以提供更高密度的芯片，所以性能上更占优势。Intel表示，就逻辑单元这一核心指标来看，它们2014年研发出来的第一代14nm FinFET(即Broadwell所用)就已经和去年三星/台积电的10nm看齐，毫不掩饰对自家14nm优秀的自豪。
但是客观的讲，Intel的市值高达1683亿美金，而AMD市值仅为122亿美金，二者每年研发费用完全不在一个数量级上，并且AMD落后Intel这么多年，这样的工艺差距还是可以理解的。
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