从150TB到200TB的数据耐久测试过程和100-150TB依然相似，三星850 EVO 250GB耗时同样最短，耗时为113.93小时；而耗时最长的依然为建兴智速240GB、影驰铁甲战将240GB，分别耗时293.11小时和292.45小时，同样差了一倍多。

三星850 EVO 250GB写入数据报告

影驰战将240GB写入数据报告

OCZ Trion 150 240GB写入数据报告

金泰克T-ONE 240GB写入数据报告

东芝Q300 240GB写入数据报告

建兴智速240GB写入数据报告

    由于上面的时间不可控制原因，部分SSD在测试过程中进行了暂停，重新恢复后无法统计耗费时长，这部分SSD的耗费时间长度当然在最短时间和最长时间之间。不过Anvil's Storage Utilities Endurance Test提供了全局写入速率考量，三星850 EVO 250GB、影驰战将240GB、OCZ Trion 150 240GB、金泰克T-ONE 240GB、东芝Q300 240GB、建兴智速240GB六款SSD的综合写入速率分别为133.68MB/s、51.21MB/s、59.97MB/s、69.17MB/s、67.64MB/s、52.34MB/s。对比0-50TB阶段的综合写入速率分别为130.78MB/s、51.37MB/s、71.17MB/s、68.93MB/s、68.16MB/s、57.38MB/s，速率基本变化不大，不过我们还是可以明显的看到OCZ和建兴这两块SSD平均写入速率出现了明显的下滑。

    小结：此次200TB的数据写入完成后6块SSD顺利达成1000 PE，整个200TB的数据写入过程，除了影驰战将240GB出现了两次掉盘现象，其余产品均未出现写入错误等问题，TLC NAND闪存的耐久性能和官方标称相当。不过我们也注意到测试中的4款产品持续写入速率出现了小幅下降，这也说明TLC的Cell栅极也开始出现电气性能下降！