从50TB到100TB的数据耐久测试过程和0-50TB非常相似，三星850 EVO 250GB耗时同样最短，耗时为107.53小时；而耗时最长的依然为建兴智速240GB、影驰铁甲战将240GB，耗时均超过200小时，差了有一倍多。

三星850 EVO 250GB写入数据报告

影驰战将240GB写入数据报告

OCZ Trion 150 240GB写入数据报告

金泰克T-ONE 240GB写入数据报告

东芝Q300 240GB写入数据报告

建兴智速240GB写入数据报告

    由于上面的时间不可控制原因，部分SSD在测试过程中进行了暂停，重新恢复后无法统计耗费时长，这部分SSD的耗费时间长度当然在最短时间和最长时间之间。不过Anvil's Storage Utilities Endurance Test提供了全局写入速率考量，三星850 EVO 250GB、影驰战将240GB、OCZ Trion 150 240GB、金泰克T-ONE 240GB、东芝Q300 240GB、建兴智速240GB六款SSD的综合写入速率分别为141.43MB/s、51.46MB/s、59.82MB/s、69.12MB/s、67.76MB/s、56.47MB/s。对比0-50TB阶段的综合写入速率分别为130.78MB/s、51.37MB/s、71.17MB/s、68.93MB/s、68.16MB/s、57.38MB/s，速率基本变化不大。

    小结：此次150TB的数据写入完成后6块SSD离1000 PE仅一步之遥，目前来看除了影驰战将240GB出现了两次掉盘现象，其余产品均未出现写入错误等问题，TLC NAND闪存稳定擦除1000次问题不大。另外我们也注意到测试中的4款产品持续写入速率出现了小幅下降，这也说明TLC的Cell栅极也开始出现电气性能下降，下次的200TB数据写入完成后我们将带来全方位的耐久数据写入性能变化曲线，尽请关注！