TLC SSD耐久第三阶段150TB写入报告出炉

    《直播求真相 TLC固态硬盘真就不耐用吗?》第三阶段150TB数据全部6块SSD已经写入完毕，测试的6块TLC SSD除影驰战将240GB出现了2次丢盘情况（未出现写入错误问题），其余硬盘均未出现写入错误或丢盘现象，现在就测试的数据进行公示。

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6块硬盘是否通过150TB数据耐久测试？

    6块测试TLC SSD都已经写完150TB数据，其中影驰战将240GB SSD在110TB和132TB左右时，出现了两次丢盘情况，重启后删除测试数据重新写入未出现写入故障。其余5款产品均为出现写入错误以及丢盘情况。

    实际写入数据方面，由于各产品写入速率不同，加上时间不可控制（例如部分测试SSD会在下班时间写入达到150TB），而为了保证尽可能的保证这些SSD测试数据一致，中途测试过程中将部分写入速率较快、或者写入到达150TB时间不在白天的SSD做了暂停处理，以确保所有SSD 150TB写入完成时间在工作时间。

三星850 EVO 250GB数据写入量157271GB

    备注：CrystalDiskInfo的写入两总计包含Anvil's Storage Utilities Endurance Test写入数据和安装操作系统、软件和多次性能测试所写入的数据两部分。

    三星850 EVO 250GB、影驰战将240GB、OCZ Trion 150 240GB、金泰克T-ONE 240GB、东芝Q300 240GB、建兴智速240GB六款SSD的实际数据写入量分别为155661.41GB、156470.88GB、156660.56GB、155448.49GB、157978.89GB、155483.52GB，实际折算这些SSD的测试区块（可用容量减去保留空间；三星为197GB，其余为188GB）P/E次数分别为：790.16、832.29、833.30、826.85、840.31、827.04。

    上面的数据显示这些SSD的测试区块目前写入均未达到850PE，按照TLC的1000PE设计耐久度，进度已过大半，测试将继续进行。下一阶段的数据写入量目标为200TB（折合PE 1065左右），届时PE次数刚好超过TLC标称耐久度，敬请关注。

    在测试之前我们曾经对所有SSD进行了性能测试，测试工具为CrystalDiskMark，下图右侧测试成绩为耐久测试后的性能，对比左侧为耐久测试前初始状态测试成绩：

 三星850 EVO 250GB SSD 150TB耐久测试前（左）后（右）性能对比

 影驰铁甲战将240GB SSD 150TB耐久测试前（左）后（右）性能对比

 OCZ Trion 150 240GB SSD 150TB耐久测试前（左）后（右）性能对比

 金泰克T-ONE 240GB SSD 150TB耐久测试前（左）后（右）性能对比

 东芝Q300 240GB SSD 150TB耐久测试前（左）后（右）性能对比

 建兴智速240GB SSD 150TB耐久测试前（左）后（右）性能对比

    从上面的测试数据来看，经历了150TB数据耐久测试后，6款TLC SSD掉速现象开始出现，其中影驰铁甲战将240GB、OCZ Trion 150 240GB、东芝Q300 240GB、建兴智速240GB四款产品持续写入速率均出现了一些下滑，特别是建兴智速240GB非常明显，从472.7MB/s下降至412.6MB/s，下降幅度为8.7%。

    不过在读取性能方面，6款产品依然很稳健，基本保持在初始状态的性能。毕竟TLC NAND的读取性能方面与产品的磨损度关系不是很密切。

    从50TB到100TB的数据耐久测试过程和0-50TB非常相似，三星850 EVO 250GB耗时同样最短，耗时为107.53小时；而耗时最长的依然为建兴智速240GB、影驰铁甲战将240GB，耗时均超过200小时，差了有一倍多。

三星850 EVO 250GB写入数据报告

影驰战将240GB写入数据报告

OCZ Trion 150 240GB写入数据报告

金泰克T-ONE 240GB写入数据报告

东芝Q300 240GB写入数据报告

建兴智速240GB写入数据报告

    由于上面的时间不可控制原因，部分SSD在测试过程中进行了暂停，重新恢复后无法统计耗费时长，这部分SSD的耗费时间长度当然在最短时间和最长时间之间。不过Anvil's Storage Utilities Endurance Test提供了全局写入速率考量，三星850 EVO 250GB、影驰战将240GB、OCZ Trion 150 240GB、金泰克T-ONE 240GB、东芝Q300 240GB、建兴智速240GB六款SSD的综合写入速率分别为141.43MB/s、51.46MB/s、59.82MB/s、69.12MB/s、67.76MB/s、56.47MB/s。对比0-50TB阶段的综合写入速率分别为130.78MB/s、51.37MB/s、71.17MB/s、68.93MB/s、68.16MB/s、57.38MB/s，速率基本变化不大。

    小结：此次150TB的数据写入完成后6块SSD离1000 PE仅一步之遥，目前来看除了影驰战将240GB出现了两次掉盘现象，其余产品均未出现写入错误等问题，TLC NAND闪存稳定擦除1000次问题不大。另外我们也注意到测试中的4款产品持续写入速率出现了小幅下降，这也说明TLC的Cell栅极也开始出现电气性能下降，下次的200TB数据写入完成后我们将带来全方位的耐久数据写入性能变化曲线，尽请关注！