天方夜谭，三星40nm闪存挑战硬盘

    日前，目前世界上的闪存领导者三星再次突破了NAND FLASH的极限，宣布了最新的使用40纳米工艺制程的新款闪存卡，这个新的闪存卡的容量达到了64GB，使用了CTF架构，不但提高了厂商的生产效率，也提升了闪存的性能。

三星40纳米NAND FLASH

    之前，三星已经推出了实用闪存和硬盘的混合式硬盘和纯闪存的固态硬盘，看来三星对于用闪存取代硬盘的努力从来没有停止过。由于使用了CTF技术，三星的新NAND闪存卡的噪音更低以及拥有更好的安全性，也使得公司可以兼容未来的30nm或者20nm工艺制程的产品。

    三星新的NAND闪存卡（4GB～64GB）可以用于各种PMP播放器、mp3播放器等设备。64GB的容量可以储存64小时的DVD电影，或者16000首MP3歌曲（1340小时的音频）。