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DDR2内存为用户升级大开方便之门

开学装机系列 AMD平台升级配置全接触

CNET中国·ZOL 【转载】 2006年09月12日 07:01 评论
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一、DDR2内存为用户升级大开方便之门:


开学装机系列 AMD平台升级配置全接触

  DDR2是由JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council,电子元件工业联合会)定义的全新一代内存技术规范标准。首先我们要知道DDR2 SDRAM依然属于DDR范畴,也就是在时钟信号的上升沿与下降沿传输数据。DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始,现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz,对应的DDR II模组命名则几乎是延续了DDR内存模组的:PC2-3200、PC2-4300和PC2-5300。工作电压为1.8V。DDR2采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准,完全不兼容于现有DDR的184PIN DIMM接口标准。

Feature/Option DDR DDR2 DDR2相对技术优势
Package内存芯片封装 TSOP and FBGA FBGA FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array:细间距球栅阵列)封装提供了更好的电气性能与散热性
Voltage电压 2.5V 1.8V DDR2 SDRAM仅为1.8V的工作电压可以大幅降低内存的功耗,以及减少发热量
Densities 内存芯片规格 64Mb–1Gb 256Mb–4Gb

更高的单条内存容量在需要大容量内存的平台上更具成本优势

memory subsystems Internal Banks 4 4 and 8 1G或1G以上容量的内存将使用8
banks技术,提高内存性能
Data Transfer Rate 运行频率 200 MHz
266 MHz
333 MHz
400 MHz
400 MHz
533 MHz
667 MHz
800 MHz
速度大幅度提高到800MHz以上
内存带宽 双通道DDR2667提供高达10.6GB/s的带宽 6.4GB/s (双通道DDR400) 更高的内存性能
Modules模组

184-pin DIMM

200-pin SODIMM

172-pin MicroDIMM

240-pin DIMM

200-pin SODIMM

214-pin MicroDIMM

改良的PCB线路与供电设计
革命性的4bit预读取能力、ODT和Post CAS技术。
CAS Latency延迟时间 2 2.5 3 clocks CL+AL CL = 3 4 5clocks
在一个前置CAS作业中,一个CAS讯号(读/写命令)可以在RAS讯号输入之后成为下一个时脉的输入。该CAS指令可以在DRAM一侧保持,并在附加的延迟(0、1、2、3和4)之后执行。简化了控制器设计,避免指令通道上的冲突。从而带来性能的提高
终结电阻ODT 主板控制 DDR2 SDRAM使用ODT (On-Die Termination)设计,内建终结电阻。 在每一个芯片上终止内存信号来增强内存质量与完整性。这样可以取消主板上用于减少信号反射的终结电阻器,简化了主板设计,降低设计制造成本。
Prefetch(预读取) 2 4 在同一核心频率时,获得两倍DDR的带宽

  由于DDR2对I/O Buffer的改良,导致在频率上高于DDR内存2倍的预读取能力,DDR2不仅比DDR有更快的运行速度,DDR2在功耗上也有很大的突破。DDR2的工作电压是1.8V,这个技术参数比DDR下降了大约0.7V,接近30%的功耗差距。此外,DDR2内存的封装形式也高出DDR一筹,DDR2基本采用了FBGA封装形式,与DDR常用的TSOP/TSOP-II相比,FBGA能够提供更优异的电气性能和散热条件,而这也是DDR2的运行频率能够更快的原因)。

  其实最关键的地方在于Intel的LGA775平台和AMD的AM2平台全面支持DDR2 内存,令到用户的升级变得非常方便。用户除了可以很方便的升级内存容量以外,甚至可以狠心的整个平台换掉,因为也仅仅只是需要更换主板和处理器而已。 

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